■眾拓光電暨河源市天和第三代半導體產業技術研究院舉行開業典禮，正式開業。 鄧燕琴 攝

○本報訊 記者 鄧燕琴 通訊員 聶燕民 24日上午，河源高新區迎來一件喜事：眾拓光電暨河源市天和第三代半導體產業技術研究院舉行開業典禮。這是河源首個半導體研究院。該院辦公樓設在金地創谷科技企業孵化器內。

河源高新區黨工委書記孫鋒，黨工委副書記、管委會主任劉大榮等參加了開業典禮。

河源市天和第三代半導體產業技術研究院（以下簡稱第三代半導體研究院）依托眾拓光電科技有限公司的設備設施資源，于 2018 年 1 月正式成立。該院主要圍繞國際領先技術的 Si 基第三代半導體材料與芯片，包括 Si 基大功率 LED 芯片、5G 高頻濾波芯片、射頻功率芯片等展開研發與設計，以及其配套設備的配置應用。

第三代半導體研究院面向2030國家第三代半導體戰略需求，圍繞建設世界科技強國的戰略目標，通過資源整合、優勢互補、錯位發展，創新體制機制，打造開放式的第三代半導體協同創新平臺，力爭成為廣東省第三代半導體技術創新中心，推動中國第三代半導體產業進入世界先進行列。

該院擁有一支具有高學歷、高技術水平的研究團隊，由國家長江學者、國家優青、國家能源領域主題專家、廣東省科技創新領軍人才等領銜的國內外半導體技術頂尖人才組成，團隊成員中有20人擁有博士學歷，30余人擁有碩士學歷 。

第三代半導體研究院理事會理事長、眾拓光電總經理李國強介紹了眾拓光電取得的成績：一是搭建了好平臺。眾拓光電以河源市第三代半導體研究院為中心，建成了國家博士后流動站、廣東省半導體照明與信息化工程技術研究中心產業化基地、華南理工大學聯合實驗室等研發機構，形成了“第三代半導體材料與器件”創新平臺。二是做出了好產品。眾拓光電成功突破了大尺寸硅襯底上高效LED芯片和基于單晶AlN的高性能低損耗FBAR濾波器的量產技術，量產的LED芯片單顆性能達10W，光效超過200lm/W，產品性能突出，供不應求；量產的新型FBAR濾波器性能達到國際先進水平，打破了美國企業的壟斷。三是承擔了國家及省部級的重大研發任務，包括2017廣東省揚帆計劃創新創業項目、2018國家重點研發計劃“寬帶通信和新型網絡”重點專項、2018廣東省第三代半導體重大專項等多項國家和省部級重大科技攻關及產業化項目。

李國強表示，眾拓光電及研究院將承前啟后、與時俱進，力爭成為廣東省第三代半導體技術創新中心，推動中國第三代半導體產業進入世界先進行列，實現眾拓人“以中國創造為源動力，鑄就全球三代半導體領導者”的美好愿景。

劉大榮代表高新區黨工委、管委會致辭時表示，第三代半導體研究院的隆重開業，必將進一步提升園區科技創新能力，培育和催生發展新的產業動力，支撐園區相關產業加快轉型升級，打造新的產業引擎。該院必將成為高新區乃至全市、全省的標桿性產業創新平臺，對推動高新區高質量發展，為我市推動“示范區”“排頭兵”和“兩個河源”建設提效破局作出更大貢獻。